Senzory dovolí koncentrovat elektromagnetické pole do objemů srovnatelných s velikostí molekul, díky tomu pak lze detekovat extrémně nízké koncentrace biologických látek či pozorovat interakce nízkých počtů biomolekul.
oznámení Tiskového odboru AV ČR
Nová Laboratoř nanotechnologie zahájila provoz v Ústavu fotoniky a elektroniky (ÚFE) Akademie věd ČR v Praze. Jejího slavnostního otevření se ve čtvrtek 14. března 2013 zúčastnil předseda AV ČR prof. Jiří Drahoš a další hosté z pracovišť AV ČR a vysokých škol. Po přivítání ředitelem ÚFE AV ČR doc. Jiřím Homolou představil tento projekt zástupce ředitele ústavu pro technické otázky Ing. Karel Chadt. Přístrojové vybavení Laboratoře nanotechnologie se opírá o elektronový litograf a rastrovací elektronový mikroskop s iontovým dělem a modulem pro hmotnostní spektrometrii sekundárních iontů (FIB-SEM-SIMS).
Vybudování Laboratoře nanotechnologie představuje významný moment v moderní historii ÚFE AV ČR. Čisté laboratoře a moderní nanotechnologické přístroje umožní vědcům z tohoto ústavu a také ze spolupracujících pracovišť řešit současné ambiciózní výzkumné projekty v oblasti fotoniky a optoelektroniky i otevřít zcela nové oblasti bádání. Elektronový litograf pořízený v rámci projektu excelence Grantové agentury ČR „Nanobiofotonika pro medicínu budoucnosti“ se uplatní především pro přípravu a charakterizaci fotonických a plasmonických nanonostruktur pro výzkum optických biosenzorů.
Vědci z ÚFE AV ČR nyní vyvíjejí novou generaci biosenzorů, jejichž povrch je tvořen souborem kovových částic nanometrových rozměrů. Tyto struktury dovolí koncentrovat elektromagnetické pole do objemů srovnatelných s velikostí molekul, díky tomu pak lze detekovat extrémně nízké koncentrace biologických látek či pozorovat interakce nízkých počtů biomolekul. FIB-SEM-SIMS pořízený s finančním přispěním AV ČR je víceúčelový nanotechnologický přístroj, který umožní ovlivňování, zobrazování a chemickou analýzu povrchů nanostrukturovaných materiálů s vysokým rozlišením. Nové možnosti dává tento přístroj ve výzkumu ionizačních a excitačních procesů při interakci iontů s povrchy pevných látek, jehož cílem je zvýšení citlivosti a rozlišovací schopnosti metody FIB SIMS. Vysoké rozlišení je nezbytné například pro snímání iontových obrazů příčných řezů optických vláken, která jsou na ÚFE AV ČR předmětem intenzivního výzkumu.
Komentáře
Napsat vlastní komentář
Pro přidání příspěvku do diskuze se prosím přihlašte v pravém horním rohu, nebo se prosím nejprve registrujte.