Elektronika nafukovaná heliem

Chemie |

Do krystalické mřížky kovových oxidů a podobných materiálů se dají vkládat ionty helia, které dokáží velmi selektivně změnit vlastnosti materiálu.

Elektronika nafukovaná heliem



Látka se třeba může „nafouknout“ v jednom směru, ale ostatní rozměry si uchovat. (Původní zdroj to asi ne moc vhodně přirovnává k héliových balónům, které nadzvednou materiál nad sebou, ale výšku ani šířku neovlivní.)

Dopování heliem má měnit nejen rozměry, ale i elektromagnetické vlastnosti látky, včetně zajištění obří magnetorezistence a supravodivosti. Iontů helia má navíc stačit jen velmi málo.

Metodu popsali vědci z Oak Ridge National Laboratory v časopisu Physical Review Letters, projekt finančně podpořilo americké ministerstvo energetiky. Konkrétně byl postup zatím otestován na sloučenině LSMO (kombinovaný oxid lanthanu, stroncia a manganu). Další předností postupu má být, že ionty helia nijak nemění původní výrobní proces látky, ale přidávají se dodatečně – nastřelováním. Proces je navíc reverzibilní, zahřátím ve vakuu se může helium zase odstranit.

Konkurenční metody při snaze změnit vlastnosti v jednom směru obvykle způsobují změnu krystalové struktury jako celku.

Zde je oxid ale při procesu uchycen na pevném substrátu, takže všechny změny vlastností mají probíhat jen ve svislém směru.

Zdroj: ScienceDaily.com

Poznámky:

– Srozumitelností popsaná metoda zrovna nevyniká.

– Původní zdroj hovoří o iontech helia, na atomech? Nejspíš by tedy šlo o nastřelování alfa-částic, ale ty si hned přitáhnou elektrony z okolí, ne?



Úvodní foto: User:Cepheus, Wikipedia, licence public domain




Související články




Komentáře

Napsat vlastní komentář

Pro přidání příspěvku do diskuze se prosím přihlašte v pravém horním rohu, nebo se prosím nejprve registrujte.