Student World

IBM vyvíjí nové úložné médium postavené na bázi nanotechnologie. Informace v něm budou uloženy v atomech nanovodičů a rychlost čtení a zápisu by měla být až 100 000krát vyšší než u dnešních flash pamětí.

Nové úložné médium, které nese pracovní název „racetrack“, by kromě rychlosti mělo přinést také vyšší spolehlivost a menší energetické nároky, než jaké mají dnešní pevné disky. Tato technologie kombinuje to nejlepší ze současných paměťových médii – z flash pamětí je to nepřítomnost pohyblivých částí a z pevných disků pak poměrně nízká cena vzhledem ke kapacitě.

Racetrack uchovává informace v nespočetném množství atomů v magnetických nanovodičích. Stuart Parkin, spolupracovník IBM, vysvětluje, že způsob ukládání je postaven na objevu v oblasti spintroniky, která manipuluje s nábojovými a spinovými vlastnostmi atomů.

Kontrolovaný elektrický náboj způsobuje pohyb dat po vodičích zformovaných do tvaru „U“ za dobu kratší než je nanosekunda a zápisové a čtecí cykly jsou pak výrazně rychlejší, než tyto operace u dnešních operačních pamětí typu DDR. Použitá technologie také využívá menšího množství tranzistorů, než je dnes zvykem (jeden tranzistor v racetracku má přístup k velkému množství bitů uložených dat). Díky tomu pak má být velmi levné takováto paměťová média vyrábět a to i s vysokou kapacitou, která podle Parkina rychle překoná možnosti klasických magnetických a optických médií.
Oproti současným flash pamětem má racetrack i výhodu ve značně vysoké životnosti, neboť s opakovanými přepisovacími cykly nedochází k degradaci a Stuart Parkin jej označuje za „prakticky nerozbitný“.

IBM říká, že koncept racetracku byl navržen před zhruba čtyřmi až pěti roky a i když je stále ve vývoji, společnost věří, že by mohla nabídnout terabajtové kapacity pomocí této technologie již během několika příštích let.

Parkin dodává, že zabere minimálně dva roky postavit funkční prototyp v nanoměřítku a zhruba během čtyř let bude IBM schopná veřejně demonstrovat tuto technologii a následně ji i vyrábět.

Viz také:
Světelné přepínače již fungují
Phase Change Memory je rychlejší než flash

autor Martin Noska