Student World

Společnost IBM oznámila, že vytvořila rozhodující součástku vysokorychlostní počítačové paměti, která je zhruba desetkrát menší než ty současné. V praxi to umožní podstatné zvýšení výkonu systémů pro podnikové aplikace.

Paměť typu SRAM (static random access memory, statická paměť s náhodným přístupem) je potřeba v čím dál větším množství na procesorových čipech, aby bylo možné dosahovat vyššího výkonu systémů pro náročné aplikace používané například v bankovnictví nebo při práci s digitálními médii. Jenže místo pro paměť SRAM na těchto čipech je omezeno cenovými a výrobními možnostmi, což představuje značnou technickou výzvu. Společnost IBM prokázala, že lze vyrobit mnohem menší paměť SRAM, která funguje správně, takže se jí na každý čip může vejít více.

Větší hustoty pamětí SRAM se tradičně dosahuje zmenšováním základních stavebních bloků, často nazývaných buňkami. Nová buňka SRAM společnosti IBM má necelou polovinu velikosti nejmenších experimentálních buněk, o nichž byly dosud zveřejněny informace, a je desetkrát menší než buňky v současné době dostupné. Pro ilustraci, na kruhový koneček jediného lidského vlasu by se vešlo zhruba 50 000 takových buněk IBM. Tento průlom potvrzuje možnost dalšího zlepšování výkonu systémů po tři další technologické generace překračující to, co se vyrábí v současné době. Tato technologie byla představena v prosinci na konferenci 2004 International Electron Devices Meeting v San Francisku.

Vědci IBM optimalizovali konstrukci buňky SRAM a rozvržení obvodu tak, aby bylo dosaženo lepší stability, a vyvinuli několik nových výrobních procesů, které umožní praktickou výrobu nových buněk SRAM. Klíčovým prvkem je využití kombinace elektronového paprsku a optické litografie pro tisk vzorů s náročnými rozměry a hustotou. Velikost buňky SRAM je klíčovým technologickým měřítkem v polovodičovém odvětví a tato práce dokládá, že si IBM nadále udržuje vedoucí pozici ve špičkové technologii zpracování.

Velikost buňky SRAM, jaké dosáhla IBM, umožní vyrábět paměti na čipech s desetkrát vyšší kapacitou než umožňují nejmodernější současné technologie. Tato inovativní technologie vytvoří podmínky pro nové aplikace, například rychlejší vyhledávání, a umožní rozvíjet výpočetní možnosti systémů pro zákazníky IBM.

O paměti SRAM
SRAM je typ rychlé paměti na čipu, ve které jsou data uchovávána bez obnovování z vnějšku, dokud je zajištěno napájení obvodu. Každá paměť je tvořena velkým množstvím paměťových buněk. Typická buňka SRAM obsahuje šest tranzistorů a chová se jako jednobitový úložný prvek. Přestože paměť SRAM nemá takovou hustotu jako paměť DRAM (dynamic random access memory, dynamická paměť s náhodným přístupem), je mnohokrát rychlejší. Paměť SRAM je nezbytná pro ukládání důležitých dat, k nimž musí procesor rychle a často přistupovat.

autor