Tchajwanská firma TSMC se chystá uvést příští rok na trh nové tranzistory založené na kombinaci křemíku a germania; mají být vyráběny 0,18mikronovou technologií. Logická hradla založená na nové technologii by mohla pracovat na frekvenci 120 GHz, což je přibližně dvojnásobná hodnota oproti současným křemíkovým obvodům.
Navíc, pokud se časem podaří aplikovat na křemíko-germaniové (SiGe) obvody i 0,13mikronovou technologii, rychlost by mohla vzrůst až na 160 GHz. V tuto chvíli jsou již na trhu produkty vyráběné technologií 0,35 mikronů.
Slitina křemíku a germania má některé podobné vlastnosti,jaké vykazují tzv. III-V polovodiče (tj. sloučeniny prvků ze třetího a pátého sloupce periodické tabulky prvků), z nichž nejpoužívanějším je dnes zřejmě galiumarsenid (GaAs).
Křemíko-germaniové obvody mají být oproti III-V sloučeninám ovšem podstatně levnější. Zlevnění konkurenční technologie by však mohlo nastat v souvislosti s nedávným oznámením Motoroly o záměru nanášet III-V polovodiče na křemíkovou vrstvu.
